Origine de la relaxation logarithmique des défauts dans le Si post-implantation

Laurent Karim Béland, Département de physique, Université de Montréal

L'évolution des structures à l'échelle atomique au sein de matériaux soumis à des perturbations détermine en grande partie leurs propriétés mécaniques à long terme et leur utilisation commerciale potentielle. La nature intrinsèquement microscopique de ces processus et les longues échelles de temps sur lesquels ils se déroulent posent un grand défi. 

Nous abordons ici la question du c-Si post-implantation à quelques keV. Il s'agit d'un système où plusieurs atomes sont dans des positions hors réseau. Les méthodes de simulation traditionnelles ne peuvent traiter ce type de configuration sur des échelles de temps comparables aux expériences.

C’est dans ce contexte que nous avons développé la technique d’activation relaxation cinétique (ART-cinétique), une méthode de simulation atomistique autodidacte capable de gérer les déplacements hors-réseau. Nous comparons le résultats de ces simulations à des mesures de nanocalorimétrie sur des échantillons implantés entre 10-100 keV. Le recuit du matériau s'explique par une hausse logarithmique des barrières à franchir pour accéder aux transitions émettant de grandes quantités de chaleur.

Site web du groupe du Laurent Karim Béland

Cette conférence est présentée par le RQMP Versant Nord du Département de physique de l'Université de Montréal et le Département de génie physique de Polytechnique Montréal.